ساخت و مشخصه¬یابی نانوسیم های اکسید روی ساخته شده به¬روش الکتروانباشت و اکسایش حرارتی و کاربرد آن ها به¬عنوان گسیل¬دهنده میدانی

لایه ای از نانوسیم­های اکسید روی بر روی زیر­لایة فلز روی از محلولی که حاوی 2 znclو 2o2  hبوده به­روش احیاء کاتدی و از طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای ºc 400 و به­مدت 4 ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعه­ای از قله­های معین، (مطابق با ساختار ورتزایت اکسید روی) نشان می­دهد. تصاویر میکروسکوپ­های الکترونی روبشی و عبوری مشخص می کند که نانو­سیم های اکسید روی با جهت­گیری اتفاقی با طول چندین میکرون و قطر nm 40-30 تشکیل شده اند. مطالعه گسیل میدانی الکترون از طریق ساختار دیودی در فشار mbar  8-10×1 صورت پذیرفت. مقدار میدان روشن شدن برای چگالی گسیل جریان الکترون 2 µa/cm1/0 تعریف گردید که به مقدار  v/µm2/1 به­دست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (f-n) رفتار غیرخطی را در کل محدوده میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیل­کننده­های نیم­رسانا نشان داده است. ساده بودن روش ساخت، همراه با خاصیت مناسب گسیل­کننده نانو­سیم های اکسید روی به­طریق الکتروانباشت و اکسایش حرارتی می­تواند نماینده­ای از یک گسیل­کننده خوب برای کاربری در جریان­هایی با چگالی بالا داشته باشد.